5月23-24日，由ACT雅时国际商讯主办，《半导体芯科技》杂志和《化合物半导体》杂志承办的“2023半导体先进技术创新发展和机遇大会”在苏州狮山国际会议中心隆重举行。

　　本次会议有两个专题：一是半导体制造与封装，二是化合物半导体先进技术及应用。分别以“CHIP China晶芯研讨会”和“化合物半导体先进技术及应用大会”两场论坛的形式同时进行。旨在通过泛半导体产业高端对话促进参会者的信息交流与合作。

　　为期2天的会议，邀请了70多位专家、70多家参展商和300多家参会企业，观众人数近800人、超4万人在线观看图文直播盛况。“化合物半导体先进技术及应用大会”议题以电力电子、射频为主。

　　当今世界，半导体技术已成为最具影响力的战略先导性技术，也是国家综合科技实力的重要标志之一。信息技术、通信技术、人工智能、电动汽车、新能源等领域的发展都需要半导体技术的底部加持。

　　“十四五”规划中，第三代半导体、集成电路先进制造与封装工艺、MEMS特色工艺和先进存储技术等都是重中之重的发展战略。与此同时，“双碳战略目标”引领的低碳绿色产业发展，也需要以先进半导体技术来支撑。

　　5月23日上午的“2023半导体先进技术创新发展和机遇大会”由香港应用科技研究院 集成电路及系统技术部副总裁 史训清博士主持。

　　雅时国际商讯总裁麦协林在开幕致辞中说：“泛半导体产业是高精尖科技领域，具有生命周期长、天花板高、产业链带动能力强等诸多特点，也是各地招商引资的主要项目。在今年全国上，有关补齐半导体产业短板、稳定国产供应链，出现了许多建设性的政策方向和实际举措。半导体与集成电路的发展被提升到一个非常重要的层面，尤其是提升到举国体制的高度。国内泛半导体产业链包括半导体产品的设计、制造及封装测试等正逐步实现规模化，行业发展迅猛。”他表示：“雅时国际及《化合物半导体》、《半导体芯科技》杂志希望充分发挥平台优势，共同促进技术、产业的提升，形成经验共享、共谋发展的良好氛围。”

　　中国半导体行业协会集成电路分会常务副理事长 于燮康在致辞中表示：“全球半导体供应链体系正面在重构，我国半导体产业面临着新一轮制裁，包括实体清单和出口管制等，同时还面临市场的周期性变化。制裁使我国先进工艺的进展和扩产受到很大限制。面对严峻的困难与挑战，我们必须做好打持久战的准备，尤其是我们的地方政府。”他指出：“我们也要看到中国半导体产业的勃勃生机，我国已形成了比较完整的集成电路产业链，有了制造、测试、封装加上装备、材料五大板块，也涌现了一些优秀的企业和企业家。国家政策的不断加持，加上庞大的本地市场和应用前景，我国半导体产业一定能够持续发展。”

　　中国科学技术大学微电子学院执行院长/教授 龙世兵在致辞中表示：“随着5G、IoT时代来临，以砷化镓、氮化镓、碳化硅为代表的化合物半导体市场有望快速崛起。‘十三五’期间，国家科技部通过“国家重点研发计划”支持了第三代半导体产业发展，国家2030计划和‘十四五’国家研发计划也已明确提出第三代半导体是重要发展方向。”他强调：“化合物半导体产业是国家“新基建”战略的重要组成部分，有望引发科技变革并重塑国际化合物半导体产业格局。如今，半导体先进技术领域相关的尖端人才数量还远远不能满足需求，产学研政的合作是有效提升企业自主创新能力、推动产业高质量发展的有效路径。”

　　苏州市科学技术局局长 徐积明在致辞中介绍说：“苏州拥有电子信息、装备制造、生物医药和先进材料四大主导产业。半导体和集成电路产业是苏州产业集群和产业链优势的具体体现。苏州集聚了材料方向的国家实验室、中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所、江苏第三代半导体研究院等研究机构。”他表示：“我们的目标是让好的项目不缺资金，让好的基金不缺好项目。苏州工业园区为了加快集成电路产业创新集群建设，前不久布了一系列政策举措，不仅是‘真金白银’的扶持，更通过成立集成电路产业公司、设立集成电路专业基金，组建专业团队、汇聚优质资源，为广大集成电路企业提供进一步服务。”

　　武汉大学动力与机械学院院长、武汉大学工业科学研究院执行院长 刘胜在致辞中表示：“后摩尔时代，芯片制造面临物理极限与经济效益边际提升双重挑战，先进封装在提高芯片集成度、电气连接以及性能优化的过程中扮演了更重要角色，产业链各环节受益于此轮技术革新。”他指出：“近年来，在国家高度重视下，工业和信息化部、科学技术部等部门陆续出台发布了半导体硅片研发、税收优惠与产业化系列政策，将半导体硅片产业纳入集成电路整体产业支持中。在国家政策及技术发展的推动下，中国半导体市场也在快速上升，中国半导体制造业也将实现由大到强的发展。”

　　“全碳化硅高温封装模块及短路保护电路”——香港应用科技研究院 集成电路及系统技术部副高级总监 高子阳 博士

　　大功率模块需要采用多芯片并联来提升整体电流等级，多芯片并联存在各种参数差异导致的失效问题，需要额外设计快速响应短路保护电路，高温封装涉及封装结构、材料及工艺的整体改变。高子阳博士针对这些问题提出了碳化硅器件设计的改进建议。

　　“全球SiC和GaN的产业生态竞争格局和未来发展”——BelGaN BV CEO周贞宏 博士

　　近年来，全球SiC和GaN产业发展迅速。周贞宏博士认为，SiC和GaN行业的痛点在于，相比传统硅材料生产成本较高，使一些应用受限；加工和制造需要更高水平的专业知识和技能。因此，公司战略定位、资源整合、产业协同是未来发展的关键。

　　碳化硅车规应用已逐渐成为电动汽车标配，但传统PVT技术的低生长效率及低良率又让碳化硅衬底价格居高不下。陆敏博士针对碳化硅长晶三大技术特点，给出了成本分析及发展趋势评估，同时聚焦液相法颠覆性技术赛道，概论国内外发展现状，呈现主要关键科学问题及其产业化时间节点预测和对碳化硅行业带来的巨大利好。

　　新能源汽车对车规级功率半导体小型轻量化提出了越来越高的要求，刘国友科学家从车规级应用对功率半导体功率密度的要求、车规功率半导体设计与制造协同，以及车规级功率半导体性能、成本与可靠性几个方面阐述了车规功率半导体技术发展方向。

　　“碳化硅同质外延层厚度无损红外反射光谱法分析”——布鲁克（北京）科技有限公司 中国区应用专家 林华

　　针对红外反射光谱法测试分析碳化硅外延片厚度问题，林华专家介绍了基本原理及典型反射光谱，探讨了传统计算外延层厚度存在的问题，并分析了红外全谱物理自洽拟合计算模型的优势，举例给出了单层同质、多层同质碳化硅外延层厚度分析结果。

　　随着摩尔定律趋缓，集成电路封装技术飞速发展，AI、5G、新能源汽车等新兴领域推动先进封装向三维、高密度和异构集成方向发展。于大全教授论述了集成电路和化合物器件的封装需求差异，以及先进封装在化合物半导体器件封装方面的潜在应用前景。

　　下午的平行分会“化合物半导体先进技术及应用大会”由苏州晶方半导体科技股份有限公司副总裁刘宏钧主持。演讲内容包括：

　　硅基氮化镓厂商正通过外延、器件结构、驱动控制推动产品向高耐压和高可靠性演进。刘宏钧指出，氮化镓器件售价已逼近硅MOS，产品性能、品质、成本不断接近甜蜜点。另外，硅基氮化镓材料可提供更高的电源效率和更低成本，在600V至1200V区间具有很大竞争优势。

　　“ULVAC在PZT MEMS领域的解决方案”——爱发科商贸（上海）有限公司 市场战略中心中心长 王禹

　　随着自动驾驶、AR/VR、安全及智能手机的发展，需要执行器根据传感器信号激活设备。王禹表示，PZT压电薄膜是MEMS传感器和执行器的关键技术，传统上主要是低温涂覆，ULVAC成功开发出先进的低温PZT压电薄膜溅射工艺，解决了MEMS器件发展的技术瓶颈。

　　芯片厚度减薄具有许多优势，如降低功耗、提高散热能力、增加性能等。张羽成博士指出，其挑战是芯片变薄，需要在工艺流程中使用临时载板，临时键合及解键合成为必要工艺，芯睿科技自主开发的2寸至12寸临时键合设备，可解决各种半导体解键合难题。

　　于洪宇介绍了近年来在Si基GaN器件及其功率和射频系统应用方向取得的研究成果，包括先进Si基GaN器件工艺、GaN功率器件及电源系统开发、GaN射频器件及5G小基站射频前端，以及GaN气体传感器及新型Ga2O3、LiNbO3器件。

　　袁冶介绍，针对大尺寸氮化铝单晶衬底制备难度高且价格昂贵问题，成功开发的2-6英寸蓝宝石基氮化铝单晶复合衬底成本低廉、位错密度低、表面平整；成功实现的氮化铝单晶模板中压应力向张应力的转变，有效解决了UVC-LED外延压应力衬底引入的表面粗化问题。

　　“650V/1200V横向、垂直和双向开关面临的挑战”——比利时IMEC微电子研究中心GaN电力电子项目总监Stafaan Decoutere

　　650伏/1200伏的横向、垂直和双向开关面临着一系列挑战。Stafaan Decoutere介绍说，对于横向器件，重点是通过Mg轮廓工程和p-GaN侧壁的优化来降低栅极电流和增加最大栅极电压。栅极电流的减少将增加失效时间（TTF），使器件推断寿命可达10年。

　　“氮化镓同质外延功率/射频器件应用与相关单晶衬底制备技术的研发进展汇报”——东莞中镓半导体科技有限公司 研发处处长 刘强 博士

　　目前，氮化镓单晶衬底商业应用主要是氮化镓蓝绿光激光器，氮化镓功率器件或微波射频器件仍在研发和应用推广阶段。刘强博士表示，中镓半导体针对应用需求开展了氮化镓高阻衬底和大尺寸氮化镓单晶衬底的研发，期望助力下游客户的各种应用。

　　GaN是下一代电力电子与新型显示技术的核心材料。张丽旸博士介绍说，晶湛半导体的高质量硅基GaN HEMT外延片涵盖40-1200V功率应用；首次将GaN-on-Si晶圆尺寸扩展至300mm；其多沟道结构、垂直结构、GaN/SiC混合系统等极大拓展了GaN的高压应用潜力。

　　5月24日的平行分会“化合物半导体先进技术及应用大会”分别由河北工业大学 陈洪建教授（上午）和安徽长飞先进半导体有限公司 首席科学家/高级副总裁 刘红超博士（下午）主持。演讲内容包括：

　　受衬底制造水平限制，碳化硅器件必须在衬底上形成满足器件要求的外延结构。李哲洋博士探讨了碳化硅外延技术的发展脉络、行业发展现状和未来发展趋势，并指出，如何通过外延降低衬底缺陷对器件性能的影响，获得高质量外延以提高芯片良率是业内共同追求目标。

　　“蔡司显微镜助力化合物半导体失效分析及工艺研发”——卡尔蔡司（上海）管理有限公司 资深项目经理 沈玄 博士

　　沈玄博士表示，宽带隙半导体材料特性和应用对生产商可靠性、良率控制和检测分析手段提出了全新要求。蔡司系列显微镜和软件解决方案不仅能帮助衬底和外延厂商识别和分析化合物半导体晶圆晶体和形貌缺陷，也为功率、通信芯片制造商提供器件和封装失效分析解决方案。

　　“等离子抛光技术碳化硅的绿色成长加速器”——牛津仪器科技（上海）有限公司 制程技术与业务拓展经理 黄承扬 博士

　　碳化硅的基板与外延缺陷控制仍是一大挑战，导致目前器件成本仍高居不下。黄承扬博士表示，为使六寸（或是八寸）碳化硅每片低于500美元，同时提升良率，牛津仪器提出的等离子刻蚀拋光技术是提升外延品质的重要第一站工艺。他分享了利用化学等离子反应有效控制起始缺陷的关键节点。

　　“ALD在功率化合物半导体应用领域的解决方案”——青岛四方思锐智能技术有限公司 销售总监 叶惟

　　目前，ALD已逐渐在超摩尔器件领域占有一席之。